СПРАВОЧНИК ПО РАДИОЭЛЕКТРОННЫМ КОМПОНЕНТАМ

Биполярные транзисторы отечественного производства

Для отображения средств навигации по справочнику используйте значок в левом верхнем углу страницы.

Любителям «горячих клавиш» - кнопка [Esc] задана для показа и скрытия меню.

В этом справочнике собраны данные на 66 транзисторов, объединённых в 10 групп.

Биполярным транзистором называется трёхэлектродный полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, предназначенный для усиления электрических колебаний по току, напряжению или мощности. Взаимодействие переходов обеспечивается тем, что они располагаются достаточно близко - на расстоянии, меньшем диффузионной длины. Два p-n-перехода образуются в результате чередования областей с разным типом электропроводности.

Классификация биполярных транзисторов.

По типу проводимости подразделяются на n-p-n и p-n-p транзисторы.

По используемому материалу - на германиевые, кремниевые, арсенид-галиевые.

По максимально допустимому рабочему напряжению - низковольтные и высоковольтные.

По максимальной рассеиваемой мощности - малой, средней и большой мощности.

По максимальной рабочей частоте - низкочастотные (до 3мГц), среднечастотные (до 30мГц), высокочастотные (до 300мГц) и сверхвысокочастотные (более 300мГц).

По технологии изготовления - эпитаксиально-планарные, сплавные, сплавно-диффузионные, диффузионно-планарные, мезапланарные.

По назначению - усилительно-генераторные, переключательные, широкого применения.

По корпусному исполнению - бескорпусные и выполненные в конкретном корпусе.

Особые виды транзисторов

Лавинные транзисторы. Обладают участком с отрицательным динамическим сопротивлением как со стороны цепи коллектора так и со стороны цепи базы. Применяются для генерации колебаний и импульсов.

Транзисторы Дарлингтона. Представляют собой два транзистора в одном корпусе, соединённые по схеме Дарлингтона. Обладают большими коэффициентами передачи по току, порядка десятков тысяч.

Транзисторы с включённым обратным диодом между коллектором и эмиттером. Используется для переключательных транзисторов.

Фототранзисторы. В них полупроводниковый слой базы открыт для засветки. Интенсивность света управляет проводимостью транзистора.

Многоэмиттерные транзисторы. О основном применяются в топологии интегральных цифровых микросхем (ТТЛ). Имеют несколько эмиттеров, созданных в области базы. Как дискретные транзисторы обычно не применяются.