СПРАВОЧНИК ПО РАДИОЭЛЕКТРОННЫМ КОМПОНЕНТАМ

Биполярные транзисторы отечественного производства

Транзисторы КТ732А

n-p-n кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные транзисторы большой мощности, низкочастотные, широкого применения. Предназначены для применения в ключевых схемах, в преобразователях напряжения, других узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Обозначение ТУ: АДБК. 432140.775 ТУ

Диапазон рабочих температур: от -60 до +100 °C

Зарубежный прототип: MJE4343

Комплементарная пара: КТ733А

Корпус: КТ-43 (ТО-218)

Обозначение N-P-N биполярного транзистора

1 - БАЗА

2 - КОЛЛЕКТОР

3 - ЭМИТТЕР

Основные электрические параметры транзистора КТ732А.

Наименование параметра	Обозначение	Единица измерения	Условия	Значения
Наименование параметра	Обозначение	Единица измерения	Условия	Не менее	Не более
Обратный ток коллектор - эмиттеp	Ток в цепи коллектор - эмиттеp при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и не подсоединённой базой. I_КЭО	мА	U_КЭ=80В, I_Б=0		0.75
Обратный ток коллектор - эмиттеp	Ток в цепи коллектор - эмиттеp при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении, подключенном между базой и эмиттером. I_КЭR	мА	U_КЭ=160В, R_БЭ=100Ом		1.0
Обратный ток коллектор - база	Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и отсоединённом выводе эмиттера. I_КБО	мА	U_КБ=160В, I_Э=0		0.75
Обратный ток эмиттеpа	Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и отсоединённом выводе коллектора. I_ЭБО	мА	U_ЭБ=7 B, I_К=0		1.0
Статический коэффициент передачи тока	Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером. h_21э		U_КЭ=2B, I_К=8A	15
Статический коэффициент передачи тока			U_КЭ=4B, I_К=16A	8.0
Граничная частота коэф. передачи тока	Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока стремится к единице. F_ГР	МГц	U_КЭ=20B, I_К=1A	1.0
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер	Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. U_{КЭ нас}	В	I_К=8A, I_Б=0.8A		2.0
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер		В	I_К=16A, I_Б=2A		3.5
Напряжение насыщения база - эмиттер	Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. U_{БЭ нас}	В	I_К=16A, I_Б=2A		3.9
Граничное напряжение коллектор-эмиттер	Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера. U_{КЭО гр}	В	I_К=0,2A, I_Б=0	160

✔Основные электрические параметры приводятся при Токр. среды = 25 °С

Предельно допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ732А.

Наименование параметра	Обозначение	Единица измерения	Значение
Постоянный ток коллектора	Максимально допустимый ток, длительно протекающий через коллекторный переход. I_{К max}	А	16
Импульсный ток коллектора при: t_И<5мс, Q>10	Максимально допустимый ток, кратковременно протекающий через коллекторный переход при заданных скважности и длительности импульса. I_{Ки max}	А	20
Постоянный ток базы	Максимально допустимый ток, длительно протекающий через цепь базы. I_{Б max}	А	5.0
Напряжение коллектор-база	Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. U_{КБО max}	В	160
Напряжение эмиттер-база	Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю. U_{ЭБО max}	В	160
Импульсная рассеиваемая мощность корпуса	Максимальная кратковременная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора при заданных условиях (длительности импульса и скважности). P_{Ки max}	Вт	90
Температура перехода	Максимально допустимая температура коллекторного перехода (кристалла). T_j max	°C	150