СПРАВОЧНИК ПО РАДИОЭЛЕКТРОННЫМ КОМПОНЕНТАМ
Биполярные транзисторы отечественного производства
Транзисторы КТ732А
n-p-n кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные транзисторы большой мощности, низкочастотные, широкого применения. Предназначены для применения в ключевых схемах, в преобразователях напряжения, других узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
| ![]() 1 - БАЗА 2 - КОЛЛЕКТОР 3 - ЭМИТТЕР |
Основные электрические параметры транзистора КТ732А.
Наименование параметра | Обозначение | Единица измерения | Условия | Значения | |
Не менее | Не более | ||||
Обратный ток коллектор - эмиттеp | Ток в цепи коллектор - эмиттеp при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и не подсоединённой базой. IКЭО |
мА | UКЭ=80В, IБ=0 | 0.75 | |
Обратный ток коллектор - эмиттеp | Ток в цепи коллектор - эмиттеp при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении, подключенном между базой и эмиттером. IКЭR |
мА | UКЭ=160В, RБЭ=100Ом | 1.0 | |
Обратный ток коллектор - база | Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и отсоединённом выводе эмиттера. IКБО |
мА | UКБ=160В, IЭ=0 | 0.75 | |
Обратный ток эмиттеpа | Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и отсоединённом выводе коллектора. IЭБО |
мА | UЭБ=7 B, IК=0 | 1.0 | |
Статический коэффициент передачи тока | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером. h21э |
UКЭ=2B, IК=8A | 15 | ||
UКЭ=4B, IК=16A | 8.0 | ||||
Граничная частота коэф. передачи тока | Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока стремится к единице. FГР |
МГц | UКЭ=20B, IК=1A | 1.0 | |
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. UКЭ нас |
В | IК=8A, IБ=0.8A | 2.0 | |
IК=16A, IБ=2A | 3.5 | ||||
Напряжение насыщения база - эмиттер | Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. UБЭ нас |
В | IК=16A, IБ=2A | 3.9 | |
Граничное напряжение коллектор-эмиттер | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера. UКЭО гр |
В | IК=0,2A, IБ=0 | 160 |
✔Основные электрические параметры приводятся при Токр. среды = 25 °С
Предельно допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ732А.
Наименование параметра | Обозначение | Единица измерения | Значение | |
Постоянный ток коллектора | Максимально допустимый ток, длительно протекающий через коллекторный переход. IК max |
А | 16 | |
Импульсный ток коллектора при: tИ<5мс, Q>10 |
Максимально допустимый ток, кратковременно протекающий через коллекторный переход при заданных скважности и длительности импульса. IКи max |
А | 20 | |
Постоянный ток базы | Максимально допустимый ток, длительно протекающий через цепь базы. IБ max |
А | 5.0 | |
Напряжение коллектор-база | Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. UКБО max |
В | 160 | |
Напряжение эмиттер-база | Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю. UЭБО max |
В | 160 | |
Импульсная рассеиваемая мощность корпуса | Максимальная кратковременная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора при заданных условиях (длительности импульса и скважности). PКи max |
Вт | 90 | |
Температура перехода | Максимально допустимая температура коллекторного перехода (кристалла). Tj max |
°C | 150 |
.gif)