СПРАВОЧНИК ПО РАДИОЭЛЕКТРОННЫМ КОМПОНЕНТАМ

Биполярные транзисторы отечественного производства

Транзисторы КТ732А

n-p-n кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные транзисторы большой мощности, низкочастотные, широкого применения. Предназначены для применения в ключевых схемах, в преобразователях напряжения, других узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Обозначение ТУ: АДБК. 432140.775 ТУ

Диапазон рабочих температур: от -60 до +100 °C

Зарубежный прототип: MJE4343

Комплементарная пара: КТ733А

Корпус: КТ-43 (ТО-218)

Обозначение N-P-N биполярного транзистора
Транзистор КТ732А.

1 - БАЗА

2 - КОЛЛЕКТОР

3 - ЭМИТТЕР

Основные электрические параметры транзистора КТ732А.

Наименование параметраОбозначениеЕдиница
измерения
УсловияЗначения
Не менееНе более
Обратный ток коллектор - эмиттеp
Ток в цепи коллектор - эмиттеp при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и не подсоединённой базой.
IКЭО
мАUКЭ=80В, IБ=00.75
Обратный ток коллектор - эмиттеp
Ток в цепи коллектор - эмиттеp при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении, подключенном между базой и эмиттером.
IКЭR
мАUКЭ=160В, RБЭ=100Ом1.0
Обратный ток коллектор - база
Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и отсоединённом выводе эмиттера.
IКБО
мАUКБ=160В, IЭ=00.75
Обратный ток эмиттеpа
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и отсоединённом выводе коллектора.
IЭБО
мАUЭБ=7 B, IК=01.0
Статический коэффициент передачи тока
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером.
h21э
UКЭ=2B, IК=8A15
UКЭ=4B, IК=16A8.0
Граничная частота коэф. передачи тока
Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока стремится к единице.
FГР
МГцUКЭ=20B, IК=1A1.0
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы.
UКЭ нас
В IК=8A, IБ=0.8A2.0
IК=16A, IБ=2A3.5
Напряжение насыщения база - эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы.
UБЭ нас
ВIК=16A, IБ=2A3.9
Граничное напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера.
UКЭО гр
ВIК=0,2A, IБ=0160

Основные электрические параметры приводятся при Токр. среды = 25 °С

Предельно допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ732А.

Наименование параметраОбозначениеЕдиница
измерения
Значение
Постоянный ток коллектора
Максимально допустимый ток, длительно протекающий через коллекторный переход.
IК max
А 16
Импульсный ток коллектора
при: tИ<5мс, Q>10
Максимально допустимый ток, кратковременно протекающий через коллекторный переход при заданных скважности и длительности импульса.
IКи max
А 20
Постоянный ток базы
Максимально допустимый ток, длительно протекающий через цепь базы.
IБ max
А 5.0
Напряжение коллектор-база
Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
UКБО max
В 160
Напряжение эмиттер-база
Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю.
UЭБО max
В 160
Импульсная рассеиваемая мощность корпуса
Максимальная кратковременная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора при заданных условиях (длительности импульса и скважности).
PКи max
Вт 90
Температура перехода
Максимально допустимая температура коллекторного перехода (кристалла).
Tj max
°C 150
Чертёж корпуса КТ-43 (TO-218)