СПРАВОЧНИК ПО РАДИОЭЛЕКТРОННЫМ КОМПОНЕНТАМ

Биполярные транзисторы отечественного производства

Транзисторы КТ738А

n-p-n кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные транзисторы большой мощности, средней частоты, широкого применения. Предназначены для применения в мощных усилителях и ключевых схемах аппаратуры широкого применения.

Обозначение ТУ: АДБК. 432150.819 ТУ

Диапазон рабочих температур: от -60 до +125 °C

Зарубежный прототип: ТIP3055

Комплементарная пара: КТ739А

Корпус: КТ-43 (ТО-218)

Обозначение N-P-N биполярного транзистора
Транзистор КТ738А.

1 - БАЗА

2 - КОЛЛЕКТОР

3 - ЭМИТТЕР

Основные электрические параметры транзистора КТ738А.

Наименование параметраОбозначениеЕдиница
измерения
УсловияЗначения
Не менееНе более
Обратный ток коллектор - эмиттеp
Ток в цепи коллектор - эмиттеp при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и не подсоединённой базой.
IКЭО
мАUКЭ=30В, IБ=00.7
Обратный ток коллектор - эмиттеp
Ток в цепи коллектор - эмиттеp при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении, подключенном между базой и эмиттером.
IКЭR
мАUКЭ=70В, IБ=0, RБЭ=100 Ом1.0
Обратный ток коллектор - база
Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и отсоединённом выводе эмиттера.
IКБО
мАUКБ=100В, IЭ=01.0
Обратный ток эмиттеpа
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и отсоединённом выводе коллектора.
IЭБО
мАUЭБ=7B, IК=05.0
Статический коэффициент передачи тока
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером.
h21э
UКЭ=4B, IК=4A2070
UКЭ=4B, IК=10A5
Граничная частота коэф. передачи тока
Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока стремится к единице.
FГР
МГцUКЭ=5B, IК=0.1A, f=1Мгц4.0
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы.
UКЭ нас
В IК=4A, IБ=0.4A1.1
IК=10A, IБ=3.3A3.0
Напряжение насыщения база - эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы.
UБЭ нас
ВIК=4A, IБ=0.4A1.8
Граничное напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера.
UКЭО гр
ВIК=30мA, IБ=060

Основные электрические параметры приводятся при Токр. среды = 25 °С

Предельно допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ738А.

Наименование параметраОбозначениеЕдиница
измерения
Значение
Постоянный ток коллектора
Максимально допустимый ток, длительно протекающий через коллекторный переход.
IК max
А 15
Постоянный ток базы
Максимально допустимый ток, длительно протекающий через цепь базы.
IБ max
А 7.0
Напpяжение коллектоp-эмиттеp
Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при разомкнутом выводе базы.
UКЭО max
В 60
Напpяжение коллектоp-эмиттеp
при: RЭБ=100 Ом
Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном сопротивлении, подсоединённом между базой и эмиттером.
UКЭR max
В 70
Напряжение коллектор-база
Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
UКБО max
В 100
Напряжение эмиттер-база
Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю.
UЭБО max
В 7.0
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Максимальная постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора.
PК max
Вт 90
Температура перехода
Максимально допустимая температура коллекторного перехода (кристалла).
Tj max
°C 150
Чертёж корпуса КТ-43 (TO-218)