СПРАВОЧНИК ПО РАДИОЭЛЕКТРОННЫМ КОМПОНЕНТАМ

Биполярные транзисторы отечественного производства

Транзисторы КТ738А

n-p-n кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные транзисторы большой мощности, средней частоты, широкого применения. Предназначены для применения в мощных усилителях и ключевых схемах аппаратуры широкого применения.

Обозначение ТУ: АДБК. 432150.819 ТУ

Диапазон рабочих температур: от -60 до +125 °C

Зарубежный прототип: ТIP3055

Комплементарная пара: КТ739А

Корпус: КТ-43 (ТО-218)

Обозначение N-P-N биполярного транзистора

1 - БАЗА

2 - КОЛЛЕКТОР

3 - ЭМИТТЕР

Основные электрические параметры транзистора КТ738А.

Наименование параметра	Обозначение	Единица измерения	Условия	Значения
Наименование параметра	Обозначение	Единица измерения	Условия	Не менее	Не более
Обратный ток коллектор - эмиттеp	Ток в цепи коллектор - эмиттеp при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и не подсоединённой базой. I_КЭО	мА	U_КЭ=30В, I_Б=0		0.7
Обратный ток коллектор - эмиттеp	Ток в цепи коллектор - эмиттеp при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении, подключенном между базой и эмиттером. I_КЭR	мА	U_КЭ=70В, I_Б=0, R_БЭ=100 Ом		1.0
Обратный ток коллектор - база	Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и отсоединённом выводе эмиттера. I_КБО	мА	U_КБ=100В, I_Э=0		1.0
Обратный ток эмиттеpа	Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и отсоединённом выводе коллектора. I_ЭБО	мА	U_ЭБ=7B, I_К=0		5.0
Статический коэффициент передачи тока	Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером. h_21э		U_КЭ=4B, I_К=4A	20	70
Статический коэффициент передачи тока			U_КЭ=4B, I_К=10A	5
Граничная частота коэф. передачи тока	Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока стремится к единице. F_ГР	МГц	U_КЭ=5B, I_К=0.1A, f=1Мгц	4.0
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер	Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. U_{КЭ нас}	В	I_К=4A, I_Б=0.4A		1.1
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер		В	I_К=10A, I_Б=3.3A		3.0
Напряжение насыщения база - эмиттер	Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. U_{БЭ нас}	В	I_К=4A, I_Б=0.4A		1.8
Граничное напряжение коллектор-эмиттер	Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера. U_{КЭО гр}	В	I_К=30мA, I_Б=0	60

✔Основные электрические параметры приводятся при Токр. среды = 25 °С

Предельно допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ738А.

Наименование параметра	Обозначение	Единица измерения	Значение
Постоянный ток коллектора	Максимально допустимый ток, длительно протекающий через коллекторный переход. I_{К max}	А	15
Постоянный ток базы	Максимально допустимый ток, длительно протекающий через цепь базы. I_{Б max}	А	7.0
Напpяжение коллектоp-эмиттеp	Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при разомкнутом выводе базы. U_{КЭО max}	В	60
Напpяжение коллектоp-эмиттеp при: R_ЭБ=100 Ом	Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном сопротивлении, подсоединённом между базой и эмиттером. U_{КЭR max}	В	70
Напряжение коллектор-база	Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. U_{КБО max}	В	100
Напряжение эмиттер-база	Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю. U_{ЭБО max}	В	7.0
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора	Максимальная постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора. P_{К max}	Вт	90
Температура перехода	Максимально допустимая температура коллекторного перехода (кристалла). T_j max	°C	150