СПРАВОЧНИК ПО РАДИОЭЛЕКТРОННЫМ КОМПОНЕНТАМ

Биполярные транзисторы отечественного производства

Транзисторы 2Т8143К

n-p-n кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные транзисторы большой мощности, переключательные. Для работы в низковольтных источниках питания для бортовой аппаратуры, аппаратов бесперебойного питания.

Обозначение ТУ: АЕЯР.432140.137ТУ

Диапазон рабочих температур: от -60 до +125 °С

Корпус: КТ-9М

Особенности: Специального назначения.

Обозначение N-P-N биполярного транзистора
Транзистор 2Т8143К.

1 - ЭМИТТЕР

2 - БАЗА

3 - КОЛЛЕКТОР

Основные электрические параметры транзистора 2Т8143К.

Наименование параметраОбозначениеЕдиница
измерения
УсловияЗначения
Не менееНе более
Обратный ток коллектор - эмиттеp
Ток в цепи коллектор - эмиттеp при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и не подсоединённой базой.
IКЭО
мА UКЭ=150В, tСР=25°С5.0
UКЭ=150В, tСР=125°С8.0
Обратный ток коллектор - база
Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и отсоединённом выводе эмиттера.
IКБО
мА UКБ=200В, tСР=25°С5.0
UКБ=200В, tСР=125°С8.0
Обратный ток эмиттеpа
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и отсоединённом выводе коллектора.
IЭБО
мА UЭБ=6В, tСР=25°С250
UЭБ=6В, tСР=125°С250
Статический коэффициент передачи тока
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером.
h21э
UКЭ=2В, IК=32А, tСР=25°С15
UКЭ=2В, IК=32А, tСР=-60°С8
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы.
UКЭ нас
В IК=32А, IБ=5А, tСР=25°С0.8
IК=32А, IБ=5А, tСР=-60°С1.5
Напряжение насыщения база - эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы.
UБЭ нас
ВIК=32А , IБ=5А, tСР=25°С2.0
Граничное напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера.
UКЭО гр
ВIК=0.1А, L=75мГн, tСР=25°С120
Время выключения
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе достигнет значения, соответствующего 10% его амплитудного значения.
tвыкл
мксIК=32А, UК=50В, IБ1=-IБ2=5А, tСР=25°С3.7
Время рассасывания
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе достигнет заданного уровня.
tрас
мксIК=32А, UК=50В, IБ1=-IБ2=5А, tСР=25°С3.2
Время спада
Интервал времени при спаде импульса между моментами, соответствующими 90% и 10% от амплитудного значения напряжения на коллекторе.
tсп
мксIК=32А, UК=50В, IБ1=-IБ2=5А, tСР=25°С0.5
Тепловое сопротивление переход - корпус
Определяет насколько градусов температура перехода выше температуры корпуса при рассеиваемой мощности, равной 1 Вт.
Rt п-к
°C/ВтtСР=25°С1.25

Предельно допустимые режимы эксплуатации транзистора 2Т8143К.

Наименование параметраОбозначениеЕдиница
измерения
Значение
Постоянный ток коллектора
Максимально допустимый ток, длительно протекающий через коллекторный переход.
IК max
А 40
Импульсный ток коллектора
Максимально допустимый ток, кратковременно протекающий через коллекторный переход при заданных скважности и длительности импульса.
IКи max
А 63
Постоянный ток базы
Максимально допустимый ток, длительно протекающий через цепь базы.
IБ max
А 8
Импульсный ток базы
Максимально допустимый ток, кратковременно протекающий через вывод базы.
IБи max
А 16
Напpяжение коллектоp-эмиттеp
Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при разомкнутом выводе базы.
UКЭО max
В 150
Напpяжение коллектоp-эмиттеp
при: RБЭ=4 Ом
Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном сопротивлении, подсоединённом между базой и эмиттером.
UКЭR max
В 180
Напpяжение коллектоp-эмиттеp
при: UЭБ=-1.5В
Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при указанных условиях.
UКЭX max
В 200
Напряжение коллектор-база
Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
UКБО max
В 200
Напряжение эмиттер-база
Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю.
UЭБО max
В 6
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Максимальная постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора.
PК max
Вт 100
Импульсная рассеиваемая мощность корпуса
при: tи=5мкс
Максимальная кратковременная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора при заданных условиях (длительности импульса и скважности).
PКи max
кВт 7.0
Температура перехода
Максимально допустимая температура коллекторного перехода (кристалла).
Tj max
°C 150

Классификация транзисторов серии 2Т8143.

Литера
Ток в цепи коллектор - эмиттеp при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и не подсоединённой базой.
IКЭО
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером.
h21э
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и отсоединённом выводе коллектора.
IЭБО
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы.
UКЭ нас
Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы.
UБЭ нас
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера.
UКЭО гр
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе достигнет значения, соответствующего 10% его амплитудного значения.
tвыкл
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе достигнет заданного уровня.
tрас
Интервал времени при спаде импульса между моментами, соответствующими 90% и 10% от амплитудного значения напряжения на коллекторе.
tсп
Определяет насколько градусов температура перехода выше температуры корпуса при рассеиваемой мощности, равной 1 Вт.
Rt п-к
Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
UКБО max
Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при разомкнутом выводе базы.
UКЭО max
Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном сопротивлении, подсоединённом между базой и эмиттером.
UКЭR max
Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при указанных условиях.
UКЭX max
Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю.
UЭБО max
Максимально допустимый ток, длительно протекающий через коллекторный переход.
IК max
Максимально допустимый ток, кратковременно протекающий через коллекторный переход при заданных скважности и длительности импульса.
IКи max
Максимально допустимый ток, длительно протекающий через цепь базы.
IБ max
Максимально допустимый ток, кратковременно протекающий через вывод базы.
IБи max
Максимальная постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора.
PК max
Максимальная кратковременная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора при заданных условиях (длительности импульса и скважности).
PКи max
2Т8143Адо 5 мА от 8 до 250 мА до 0,8 В до 2 В от 90 В до 3,7 мкс до 3,2 мкс до 0,5 мкс от 1,25 °C/Вт до 150 В до 100 В до 135 В до 150 В до 6 В до 25 А до 40 А до 8 А до 10 А до 100 Вт до 3,3 кВт
2Т8143Бдо 5 мА от 8 до 250 мА до 0,8 В до 2 В от 120 В до 3,7 мкс до 3,2 мкс до 0,5 мкс от 1,25 °C/Вт до 200 В до 150 В до 180 В до 200 В до 6 В до 25 А до 40 А до 8 А до 10 А до 100 Вт до 4,5 кВт
2Т8143Вдо 5 мА от 8 до 250 мА до 0,8 В до 2 В от 180 В до 3,7 мкс до 3,2 мкс до 0,5 мкс от 1,25 °C/Вт до 300 В до 200 В до 270 В до 300 В до 6 В до 25 А до 40 А до 8 А до 10 А до 100 Вт до 5 кВт
2Т8143Гдо 5 мА от 8 до 250 мА до 0,8 В до 2 В от 240 В до 3,7 мкс до 3,2 мкс до 0,5 мкс от 1,25 °C/Вт до 400 В до 300 В до 360 В до 400 В до 6 В до 25 А до 40 А до 8 А до 10 А до 100 Вт до 5,5 кВт
2Т8143Ддо 5 мА от 8 до 250 мА до 0,8 В до 2 В от 90 В до 3,7 мкс до 3,2 мкс до 0,5 мкс от 1,25 °C/Вт до 150 В до 100 В до 135 В до 150 В до 6 В до 32 А до 50 А до 10 А до 13 А до 100 Вт до 3,8 кВт
2Т8143Едо 5 мА от 8 до 250 мА до 0,8 В до 2 В от 120 В до 3,7 мкс до 3,2 мкс до 0,5 мкс от 1,25 °C/Вт до 200 В до 150 В до 180 В до 200 В до 6 В до 32 А до 50 А до 10 А до 13 А до 100 Вт до 5,5 кВт
2Т8143Ждо 5 мА от 8 до 250 мА до 0,8 В до 2 В от 180 В до 3,7 мкс до 3,2 мкс до 0,5 мкс от 1,25 °C/Вт до 300 В до 200 В до 270 В до 300 В до 6 В до 32 А до 50 А до 10 А до 13 А до 100 Вт до 6 кВт
2Т8143Здо 5 мА от 8 до 250 мА до 0,8 В до 2 В от 240 В до 3,7 мкс до 3,2 мкс до 0,5 мкс от 1,25 °C/Вт до 400 В до 300 В до 360 В до 400 В до 6 В до 32 А до 50 А до 10 А до 13 А до 100 Вт до 6,5 кВт
2Т8143Идо 5 мА от 8 до 250 мА до 0,8 В до 2 В от 90 В до 3,7 мкс до 3,2 мкс до 0,5 мкс от 1,25 °C/Вт до 150 В до 100 В до 135 В до 150 В до 6 В до 40 А до 63 А до 8 А до 16 А до 100 Вт до 5,2 кВт
2Т8143Кдо 5 мА от 8 до 250 мА до 0,8 В до 2 В от 120 В до 3,7 мкс до 3,2 мкс до 0,5 мкс от 1,25 °C/Вт до 200 В до 150 В до 180 В до 200 В до 6 В до 40 А до 63 А до 8 А до 16 А до 100 Вт до 7 кВт
2Т8143Лдо 5 мА от 8 до 250 мА до 0,8 В до 2 В от 180 В до 3,7 мкс до 3,2 мкс до 0,5 мкс от 1,25 °C/Вт до 300 В до 200 В до 270 В до 300 В до 6 В до 40 А до 63 А до 8 А до 16 А до 100 Вт до 7,5 кВт
2Т8143Мдо 5 мА от 8 до 250 мА до 0,8 В до 2 В от 240 В до 3,7 мкс до 3,2 мкс до 0,5 мкс от 1,25 °C/Вт до 400 В до 300 В до 360 В до 400 В до 6 В до 40 А до 63 А до 8 А до 16 А до 100 Вт до 8 кВт
2Т8143Ндо 3 мА от 8 до 20 мА до 1 В до 2 В от 100 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,78 °C/Вт до 100 В до 100 В до 100 В до 100 В до 7 В до 50 А до 80 А до 8 А до 25 А до 160 Вт до 3,5 кВт
2Т8143Пдо 3 мА от 8 до 20 мА до 1,2 В до 2 В от 150 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,78 °C/Вт до 150 В до 150 В до 150 В до 150 В до 7 В до 50 А до 80 А до 8 А до 25 А до 160 Вт до 3,5 кВт
2Т8143Рдо 3 мА от 8 до 20 мА до 1,2 В до 2 В от 200 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,78 °C/Вт до 200 В до 200 В до 200 В до 200 В до 7 В до 50 А до 80 А до 8 А до 25 А до 160 Вт до 3,5 кВт
2Т8143Сдо 5 мА от 10 до 350 мА до 0,8 В до 2 В от 90 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,5 °C/Вт до 150 В до 90 В до 135 В до 150 В до 6 В до 63 А до 100 А до 15 А до 25 А до 250 Вт до 9 кВт
2Т8143С1до 5 мА от 10 до 350 мА до 0,8 В до 2 В от 90 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,5 °C/Вт до 150 В до 90 В до 135 В до 150 В до 6 В до 63 А до 100 А до 15 А до 25 А до 250 Вт до 9 кВт
2Т8143С2до 5 мА от 10 до 350 мА до 0,8 В до 2 В от 90 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,5 °C/Вт до 150 В до 90 В до 135 В до 150 В до 6 В до 63 А до 100 А до 15 А до 25 А до 250 Вт до 9 кВт
2Т8143С3до 5 мА от 10 до 350 мА до 0,8 В до 2 В от 90 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,5 °C/Вт до 150 В до 90 В до 135 В до 150 В до 6 В до 63 А до 100 А до 15 А до 25 А до 250 Вт до 9 кВт
2Т8143Тдо 5 мА от 10 до 350 мА до 0,8 В до 2 В от 120 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,5 °C/Вт до 200 В до 120 В до 180 В до 200 В до 6 В до 63 А до 100 А до 15 А до 25 А до 250 Вт до 9 кВт
2Т8143Т1до 5 мА от 10 до 350 мА до 0,8 В до 2 В от 120 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,5 °C/Вт до 200 В до 120 В до 180 В до 200 В до 6 В до 63 А до 100 А до 15 А до 25 А до 250 Вт до 9 кВт
2Т8143Т2до 5 мА от 10 до 350 мА до 0,8 В до 2 В от 120 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,5 °C/Вт до 200 В до 120 В до 180 В до 200 В до 6 В до 63 А до 100 А до 15 А до 25 А до 250 Вт до 9 кВт
2Т8143Т3до 5 мА от 10 до 350 мА до 0,8 В до 2 В от 120 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,5 °C/Вт до 200 В до 120 В до 180 В до 200 В до 6 В до 63 А до 100 А до 15 А до 25 А до 250 Вт до 9 кВт
2Т8143Удо 5 мА от 10 до 350 мА до 0,8 В до 2 В от 180 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,5 °C/Вт до 300 В до 180 В до 270 В до 300 В до 6 В до 63 А до 100 А до 15 А до 25 А до 250 Вт до 9 кВт
2Т8143У1до 5 мА от 10 до 350 мА до 0,8 В до 2 В от 180 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,5 °C/Вт до 300 В до 180 В до 270 В до 300 В до 6 В до 63 А до 100 А до 15 А до 25 А до 250 Вт до 9 кВт
2Т8143У2до 5 мА от 10 до 350 мА до 0,8 В до 2 В от 180 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,5 °C/Вт до 300 В до 180 В до 270 В до 300 В до 6 В до 63 А до 100 А до 15 А до 25 А до 250 Вт до 9 кВт
2Т8143У3до 5 мА от 10 до 350 мА до 0,8 В до 2 В от 180 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,5 °C/Вт до 300 В до 180 В до 270 В до 300 В до 6 В до 63 А до 100 А до 15 А до 25 А до 250 Вт до 9 кВт
2Т8143Фдо 5 мА от 10 до 350 мА до 0,8 В до 2 В от 240 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,5 °C/Вт до 400 В до 240 В до 360 В до 400 В до 6 В до 63 А до 100 А до 15 А до 25 А до 250 Вт до 9 кВт
2Т8143Ф1до 5 мА от 10 до 350 мА до 0,8 В до 2 В от 240 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,5 °C/Вт до 400 В до 240 В до 360 В до 400 В до 6 В до 63 А до 100 А до 15 А до 25 А до 250 Вт до 9 кВт
2Т8143Ф2до 5 мА от 10 до 350 мА до 0,8 В до 2 В от 240 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,5 °C/Вт до 400 В до 240 В до 360 В до 400 В до 6 В до 63 А до 100 А до 15 А до 25 А до 250 Вт до 9 кВт
2Т8143Ф3до 5 мА от 10 до 350 мА до 0,8 В до 2 В от 240 В до 2,5 мкс до 2,1 мкс до 0,4 мкс от 0,5 °C/Вт до 400 В до 240 В до 360 В до 400 В до 6 В до 63 А до 100 А до 15 А до 25 А до 250 Вт до 9 кВт
Чертёж корпуса КТ-9М