СПРАВОЧНИК ПО РАДИОЭЛЕКТРОННЫМ КОМПОНЕНТАМ
Биполярные транзисторы отечественного производства
Транзисторы 2Т603И/ИУ
n-p-n кремниевые эпитаксиально-планарные низковольтные транзисторы средней мощности, высокочастотные, широкого применения. Предназначены для работы в схемах аппаратуры специального назначения.
| ![]() 1 - БАЗА 2 - КОЛЛЕКТОР 3 - ЭМИТТЕР |
Основные электрические параметры транзистора 2Т603И/ИУ.
Наименование параметра | Обозначение | Единица измерения | Условия | Значения | |
Не менее | Не более | ||||
Обратный ток коллектор - база | Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и отсоединённом выводе эмиттера. IКБО |
мкА | UКБ=30В | 3.0 | |
Обратный ток эмиттеpа | Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и отсоединённом выводе коллектора. IЭБО |
мкА | UЭБ=4В | 3.0 | |
Статический коэффициент передачи тока | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером. h21э |
UКБ=2В, IЭ=350мА, f=50Гц | 20 | 210 | |
Модуль коэффициента передачи тока | Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на заданной высокой частоте. |h21э| |
UКЭ=10В, IК=30мА, f=100МГц | 2.0 | ||
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. UКЭ нас |
В | IК=350мА, IБ=50мА | 1.2 | |
Напряжение насыщения база - эмиттер | Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. UБЭ нас |
В | IК=350мА, IБ=50мА | 1.3 | |
Ёмкость коллекторного перехода | Ёмкость между выводами коллектора и базы при заданном обратонм напряжении между ними и отсоединённом выводе эмиттера. CК |
пФ | UКБ=10В, f=5МГц | 15 | |
Ёмкость эмиттерного перехода | Ёмкость между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении между ними и отсоединённом выводе коллектора. CЭ |
пФ | UЭБ=0В, f=5МГц | 40 | |
Постоянная времени цепи обратной связи | Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода. τк |
пс | UКЭ=10В, IК=30мА, f=5МГц | 400 | |
Время рассасывания | Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе достигнет заданного уровня. tрас |
нс | IК=150мА,IБ1=-IБ2=15мА,τп≤30мкс,Q≥50 | 70 | |
Тепловое сопротивление переход - среда | Определяет насколько градусов температура перехода выше температуры окружающей среды при рассеиваемой мощности, равной 1 Вт. Rt п-с |
°C/Вт | 200 |
✔Основные технические характеристики приведены при температуре окружающей среды +25 ºС.
Предельно допустимые режимы эксплуатации транзистора 2Т603И/ИУ.
Наименование параметра | Обозначение | Единица измерения | Значение | |
Постоянный ток коллектора | Максимально допустимый ток, длительно протекающий через коллекторный переход. IК max |
мА | 300 | |
Импульсный ток коллектора при: τи≤10мкс, Q≥10 |
Максимально допустимый ток, кратковременно протекающий через коллекторный переход при заданных скважности и длительности импульса. IКи max |
мА | 600 | |
Напpяжение коллектоp-эмиттеp при: RБЭ≤1кОм |
Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном сопротивлении, подсоединённом между базой и эмиттером. UКЭR max |
В | 30 | |
Импульсное напряжение коллектор=эмиттер при: RБЭ≤1кОм, τи≤10мкс, Q≥10 |
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при указанных условиях. UКЭи max |
В | 45 | |
Напряжение коллектор-база | Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. UКБО max |
В | 30 | |
Напряжение эмиттер-база | Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю. UЭБО max |
В | 4 | |
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Максимальная постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора. PК max |
Вт | 0.5 | |
Температура перехода | Максимально допустимая температура коллекторного перехода (кристалла). Tj max |
°C | 150 |
Классификация транзисторов серии 2Т603 (/ИУ).
Литера | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером. h21э |
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. UКЭ нас |
Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. UБЭ нас |
Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. UКБО max |
Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном сопротивлении, подсоединённом между базой и эмиттером. UКЭR max |
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при указанных условиях. UКЭи max |
Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю. UЭБО max |
2Т603А/ИУ | 20-80 | до 0,8 В | до 1,5 В | до 30 В | до 30 В | до 45 В | до 3 В |
2Т603Б/ИУ | 60-180 | до 0,8 В | до 1,5 В | до 30 В | до 30 В | до 45 В | до 3 В |
2Т603В/ИУ | 20-80 | до 0,8 В | до 1,5 В | до 15 В | до 15 В | до 30 В | до 3 В |
2Т603Г/ИУ | 60-180 | до 0,8 В | до 1,5 В | до 15 В | до 15 В | до 30 В | до 3 В |
2Т603И/ИУ | 20-210 | до 1,2 В | до 1,3 В | до 30 В | до 30 В | до 45 В | до 4 В |
.gif)