СПРАВОЧНИК ПО РАДИОЭЛЕКТРОННЫМ КОМПОНЕНТАМ

Биполярные транзисторы отечественного производства

Транзисторы 2Т603И/ИУ

n-p-n кремниевые эпитаксиально-планарные низковольтные транзисторы средней мощности, высокочастотные, широкого применения. Предназначены для работы в схемах аппаратуры специального назначения.

Обозначение ТУ: АЕЯР.432140.400 ТУ

Диапазон рабочих температур: от -60 до +125 ºС

Корпус: КТ-2 (TO-39)

Обозначение N-P-N биполярного транзистора
Транзистор 2Т603И/ИУ.

1 - БАЗА

2 - КОЛЛЕКТОР

3 - ЭМИТТЕР

Основные электрические параметры транзистора 2Т603И/ИУ.

Наименование параметраОбозначениеЕдиница
измерения
УсловияЗначения
Не менееНе более
Обратный ток коллектор - база
Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и отсоединённом выводе эмиттера.
IКБО
мкАUКБ=30В3.0
Обратный ток эмиттеpа
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и отсоединённом выводе коллектора.
IЭБО
мкАUЭБ=4В3.0
Статический коэффициент передачи тока
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером.
h21э
UКБ=2В, IЭ=350мА, f=50Гц20210
Модуль коэффициента передачи тока
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на заданной высокой частоте.
|h21э|
UКЭ=10В, IК=30мА, f=100МГц2.0
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы.
UКЭ нас
ВIК=350мА, IБ=50мА1.2
Напряжение насыщения база - эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы.
UБЭ нас
ВIК=350мА, IБ=50мА1.3
Ёмкость коллекторного перехода
Ёмкость между выводами коллектора и базы при заданном обратонм напряжении между ними и отсоединённом выводе эмиттера.
CК
пФUКБ=10В, f=5МГц15
Ёмкость эмиттерного перехода
Ёмкость между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении между ними и отсоединённом выводе коллектора.
CЭ
пФUЭБ=0В, f=5МГц40
Постоянная времени цепи обратной связи
Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода.
τк
псUКЭ=10В, IК=30мА, f=5МГц400
Время рассасывания
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе достигнет заданного уровня.
tрас
нсIК=150мА,IБ1=-IБ2=15мА,τп≤30мкс,Q≥5070
Тепловое сопротивление переход - среда
Определяет насколько градусов температура перехода выше температуры окружающей среды при рассеиваемой мощности, равной 1 Вт.
Rt п-с
°C/Вт200

Основные технические характеристики приведены при температуре окружающей среды +25 ºС.

Предельно допустимые режимы эксплуатации транзистора 2Т603И/ИУ.

Наименование параметраОбозначениеЕдиница
измерения
Значение
Постоянный ток коллектора
Максимально допустимый ток, длительно протекающий через коллекторный переход.
IК max
мА 300
Импульсный ток коллектора
при: τи≤10мкс, Q≥10
Максимально допустимый ток, кратковременно протекающий через коллекторный переход при заданных скважности и длительности импульса.
IКи max
мА 600
Напpяжение коллектоp-эмиттеp
при: RБЭ≤1кОм
Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном сопротивлении, подсоединённом между базой и эмиттером.
UКЭR max
В 30
Импульсное напряжение коллектор=эмиттер
при: RБЭ≤1кОм, τи≤10мкс, Q≥10
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при указанных условиях.
UКЭи max
В 45
Напряжение коллектор-база
Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
UКБО max
В 30
Напряжение эмиттер-база
Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю.
UЭБО max
В 4
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Максимальная постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора.
PК max
Вт 0.5
Температура перехода
Максимально допустимая температура коллекторного перехода (кристалла).
Tj max
°C 150

Классификация транзисторов серии 2Т603 (/ИУ).

Литера
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером.
h21э
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы.
UКЭ нас
Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы.
UБЭ нас
Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
UКБО max
Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном сопротивлении, подсоединённом между базой и эмиттером.
UКЭR max
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при указанных условиях.
UКЭи max
Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю.
UЭБО max
2Т603А/ИУ20-80 до 0,8 В до 1,5 В до 30 В до 30 В до 45 В до 3 В
2Т603Б/ИУ60-180 до 0,8 В до 1,5 В до 30 В до 30 В до 45 В до 3 В
2Т603В/ИУ20-80 до 0,8 В до 1,5 В до 15 В до 15 В до 30 В до 3 В
2Т603Г/ИУ60-180 до 0,8 В до 1,5 В до 15 В до 15 В до 30 В до 3 В
2Т603И/ИУ20-210 до 1,2 В до 1,3 В до 30 В до 30 В до 45 В до 4 В
Чертёж корпуса КТ-2 (TO-39)