СПРАВОЧНИК ПО РАДИОЭЛЕКТРОННЫМ КОМПОНЕНТАМ

Биполярные транзисторы отечественного производства

Транзисторы 2Т603И/ИУ

n-p-n кремниевые эпитаксиально-планарные низковольтные транзисторы средней мощности, высокочастотные, широкого применения. Предназначены для работы в схемах аппаратуры специального назначения.

Обозначение ТУ: АЕЯР.432140.400 ТУ

Диапазон рабочих температур: от -60 до +125 ºС

Корпус: КТ-2 (TO-39)

Обозначение N-P-N биполярного транзистора

1 - БАЗА

2 - КОЛЛЕКТОР

3 - ЭМИТТЕР

Основные электрические параметры транзистора 2Т603И/ИУ.

Наименование параметра	Обозначение	Единица измерения	Условия	Значения
Наименование параметра	Обозначение	Единица измерения	Условия	Не менее	Не более
Обратный ток коллектор - база	Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и отсоединённом выводе эмиттера. I_КБО	мкА	U_КБ=30В		3.0
Обратный ток эмиттеpа	Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и отсоединённом выводе коллектора. I_ЭБО	мкА	U_ЭБ=4В		3.0
Статический коэффициент передачи тока	Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером. h_21э		U_КБ=2В, I_Э=350мА, f=50Гц	20	210
Модуль коэффициента передачи тока	Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на заданной высокой частоте. \|h_21э\|		U_КЭ=10В, I_К=30мА, f=100МГц	2.0
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер	Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. U_{КЭ нас}	В	I_К=350мА, I_Б=50мА		1.2
Напряжение насыщения база - эмиттер	Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. U_{БЭ нас}	В	I_К=350мА, I_Б=50мА		1.3
Ёмкость коллекторного перехода	Ёмкость между выводами коллектора и базы при заданном обратонм напряжении между ними и отсоединённом выводе эмиттера. C_К	пФ	U_КБ=10В, f=5МГц		15
Ёмкость эмиттерного перехода	Ёмкость между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении между ними и отсоединённом выводе коллектора. C_Э	пФ	U_ЭБ=0В, f=5МГц		40
Постоянная времени цепи обратной связи	Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода. τ_к	пс	U_КЭ=10В, I_К=30мА, f=5МГц		400
Время рассасывания	Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе достигнет заданного уровня. t_рас	нс	I_К=150мА,I_Б1=-I_Б2=15мА,τ_п≤30мкс,Q≥50		70
Тепловое сопротивление переход - среда	Определяет насколько градусов температура перехода выше температуры окружающей среды при рассеиваемой мощности, равной 1 Вт. R_{t п-с}	°C/Вт			200

✔Основные технические характеристики приведены при температуре окружающей среды +25 ºС.

Предельно допустимые режимы эксплуатации транзистора 2Т603И/ИУ.

Наименование параметра	Обозначение	Единица измерения	Значение
Постоянный ток коллектора	Максимально допустимый ток, длительно протекающий через коллекторный переход. I_{К max}	мА	300
Импульсный ток коллектора при: τ_и≤10мкс, Q≥10	Максимально допустимый ток, кратковременно протекающий через коллекторный переход при заданных скважности и длительности импульса. I_{Ки max}	мА	600
Напpяжение коллектоp-эмиттеp при: R_БЭ≤1кОм	Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном сопротивлении, подсоединённом между базой и эмиттером. U_{КЭR max}	В	30
Импульсное напряжение коллектор=эмиттер при: R_БЭ≤1кОм, τ_и≤10мкс, Q≥10	Максимально допустимое импульсное обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при указанных условиях. U_{КЭи max}	В	45
Напряжение коллектор-база	Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. U_{КБО max}	В	30
Напряжение эмиттер-база	Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю. U_{ЭБО max}	В	4
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора	Максимальная постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора. P_{К max}	Вт	0.5
Температура перехода	Максимально допустимая температура коллекторного перехода (кристалла). T_j max	°C	150

Классификация транзисторов серии 2Т603 (/ИУ).

Литера	Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером. h_21э	Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. U_{КЭ нас}	Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. U_{БЭ нас}	Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. U_{КБО max}	Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном сопротивлении, подсоединённом между базой и эмиттером. U_{КЭR max}	Максимально допустимое импульсное обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при указанных условиях. U_{КЭи max}	Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю. U_{ЭБО max}
2Т603А/ИУ	20-80	до 0,8 В	до 1,5 В	до 30 В	до 30 В	до 45 В	до 3 В
2Т603Б/ИУ	60-180	до 0,8 В	до 1,5 В	до 30 В	до 30 В	до 45 В	до 3 В
2Т603В/ИУ	20-80	до 0,8 В	до 1,5 В	до 15 В	до 15 В	до 30 В	до 3 В
2Т603Г/ИУ	60-180	до 0,8 В	до 1,5 В	до 15 В	до 15 В	до 30 В	до 3 В
2Т603И/ИУ	20-210	до 1,2 В	до 1,3 В	до 30 В	до 30 В	до 45 В	до 4 В