СПРАВОЧНИК ПО РАДИОЭЛЕКТРОННЫМ КОМПОНЕНТАМ

Биполярные транзисторы отечественного производства

Транзисторы КТ9115А

p-n-p кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные транзисторы средней мощности, высокочастотные, усилительно-генераторные. Предназначены для использования в усилителях мощности высокой частоты, схемах усиления видеосигнала.

Диапазон рабочих температур: от -45 до +100°C

Комплементарная пара: КТ940А

Корпус: КТ-27 (ТО-126)

Обозначение P-N-P биполярного транзистора

1 - ЭМИТТЕР

2 - КОЛЛЕКТОР

3 - БАЗА

Основные электрические параметры транзистора КТ9115А.

Наименование параметра	Обозначение	Единица измерения	Условия	Значения
Наименование параметра	Обозначение	Единица измерения	Условия	Не менее	Не более
Обратный ток коллектор - база	Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и отсоединённом выводе эмиттера. I_КБО	мкА	U_КБ=250В, t_ср=+25°C		0.05
Обратный ток коллектор - база		мкА	UКБ=250В, tср=+100°C		2.0
Обратный ток эмиттеpа	Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и отсоединённом выводе коллектора. I_ЭБО	мкА	U_ЭБ=3В		0.05
Статический коэффициент передачи тока	Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером. h_21э		U_КЭ=10В,I_К=30мА	25
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер	Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. U_{КЭ нас}	В	I_К=30мА , I_Б=6мА		1.0
Напряжение насыщения база - эмиттер	Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. U_{БЭ нас}	В	I_К=30мА , I_Б=6мА		1.1
Граничное напряжение коллектор-эмиттер	Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера. U_{КЭО гр}	В	I_К=10мА	300
Ёмкость коллекторного перехода	Ёмкость между выводами коллектора и базы при заданном обратонм напряжении между ними и отсоединённом выводе эмиттера. C_К	пФ	U_КБ=30В		5.5
Ёмкость эмиттерного перехода	Ёмкость между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении между ними и отсоединённом выводе коллектора. C_Э	пФ	U_БЭ=0.5В		50

Предельно допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ9115А.

Наименование параметра	Обозначение	Единица измерения	Значение
Постоянный ток коллектора	Максимально допустимый ток, длительно протекающий через коллекторный переход. I_{К max}	мА	100
Импульсный ток коллектора при: t_и<2мс, Q>3.3 ¹⁾	Максимально допустимый ток, кратковременно протекающий через коллекторный переход при заданных скважности и длительности импульса. I_{Ки max}	мА	300
Постоянный ток базы	Максимально допустимый ток, длительно протекающий через цепь базы. I_{Б max}	мА	50
Напpяжение коллектоp-эмиттеp при: R_БЭ=10кОм	Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном сопротивлении, подсоединённом между базой и эмиттером. U_{КЭR max}	В	300
Напряжение коллектор-база	Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. U_{КБО max}	В	300
Напряжение эмиттер-база	Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю. U_{ЭБО max}	В	5.0
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при: t_ср=-40...+25°C без теплоотвода ²⁾	Максимальная постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора. P_{К max}	Вт	1.2

Классификация транзисторов серии КТ9115.

Литера	Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера. U_{КЭО гр}	Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. U_{КБО max}	Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном сопротивлении, подсоединённом между базой и эмиттером. U_{КЭR max}
КТ9115А	от 300 В	до 300 В	до 300 В
КТ9115Б	от 150 В	до 150 В	до 150 В

¹⁾ При Q<3,3 I_{Ки max} рассчитывается по формуле

$$I_{Ки max}=Q\times I_{Кmax}$$

²⁾ Максимальная рассеиваемая корпусом мощность при наличии теплоотвода P_{К max} — 10 Вт.

При температуре корпуса от +25 до +100 °C при наличии теплоотводаP_{К max} снижается до 4 Вт.

При температуре корпуса от +25 до +100 °C без теплоотводаP_{К max} снижается до 0,48 Вт.

Пайка выводов рекомендуется не ближе 5мм от корпуса трандистора при температуре припоя +265°C в течение времени не более 3с. Допускается пайка волной при температуре не более +235°C.

Допустимое значение статического потенциала — 500 В.

Выходные характеристики транзистора КТ9115А

Входные характеристики транзистора КТ9115А

Зависимость емкости коллекторного перехода от приложенного обратного напряжения