СПРАВОЧНИК ПО РАДИОЭЛЕКТРОННЫМ КОМПОНЕНТАМ
Биполярные транзисторы отечественного производства
Транзисторы КТ9115А
p-n-p кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные транзисторы средней мощности, высокочастотные, усилительно-генераторные. Предназначены для использования в усилителях мощности высокой частоты, схемах усиления видеосигнала.
| ![]() 1 - ЭМИТТЕР 2 - КОЛЛЕКТОР 3 - БАЗА |
Основные электрические параметры транзистора КТ9115А.
Наименование параметра | Обозначение | Единица измерения | Условия | Значения | |
Не менее | Не более | ||||
Обратный ток коллектор - база | Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и отсоединённом выводе эмиттера. IКБО |
мкА | UКБ=250В, tср=+25°C | 0.05 | |
UКБ=250В, tср=+100°C | 2.0 | ||||
Обратный ток эмиттеpа | Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и отсоединённом выводе коллектора. IЭБО |
мкА | UЭБ=3В | 0.05 | |
Статический коэффициент передачи тока | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером. h21э |
UКЭ=10В,IК=30мА | 25 | ||
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. UКЭ нас |
В | IК=30мА , IБ=6мА | 1.0 | |
Напряжение насыщения база - эмиттер | Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. UБЭ нас |
В | IК=30мА , IБ=6мА | 1.1 | |
Граничное напряжение коллектор-эмиттер | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера. UКЭО гр |
В | IК=10мА | 300 | |
Ёмкость коллекторного перехода | Ёмкость между выводами коллектора и базы при заданном обратонм напряжении между ними и отсоединённом выводе эмиттера. CК |
пФ | UКБ=30В | 5.5 | |
Ёмкость эмиттерного перехода | Ёмкость между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении между ними и отсоединённом выводе коллектора. CЭ |
пФ | UБЭ=0.5В | 50 |
Предельно допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ9115А.
Наименование параметра | Обозначение | Единица измерения | Значение | |
Постоянный ток коллектора | Максимально допустимый ток, длительно протекающий через коллекторный переход. IК max |
мА | 100 | |
Импульсный ток коллектора при: tи<2мс, Q>3.3 1) |
Максимально допустимый ток, кратковременно протекающий через коллекторный переход при заданных скважности и длительности импульса. IКи max |
мА | 300 | |
Постоянный ток базы | Максимально допустимый ток, длительно протекающий через цепь базы. IБ max |
мА | 50 | |
Напpяжение коллектоp-эмиттеp при: RБЭ=10кОм |
Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном сопротивлении, подсоединённом между базой и эмиттером. UКЭR max |
В | 300 | |
Напряжение коллектор-база | Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. UКБО max |
В | 300 | |
Напряжение эмиттер-база | Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю. UЭБО max |
В | 5.0 | |
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при: tср=-40...+25°C без теплоотвода 2) |
Максимальная постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора. PК max |
Вт | 1.2 |
Классификация транзисторов серии КТ9115.
Литера | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера. UКЭО гр |
Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. UКБО max |
Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном сопротивлении, подсоединённом между базой и эмиттером. UКЭR max |
КТ9115А | от 300 В | до 300 В | до 300 В |
КТ9115Б | от 150 В | до 150 В | до 150 В |
1) При Q<3,3 IКи max рассчитывается по формуле
$$I_{Ки max}=Q\times I_{Кmax}$$
2) Максимальная рассеиваемая корпусом мощность при наличии теплоотвода PК max — 10 Вт.
При температуре корпуса от +25 до +100 °C при наличии теплоотводаPК max снижается до 4 Вт.
При температуре корпуса от +25 до +100 °C без теплоотводаPК max снижается до 0,48 Вт.
Пайка выводов рекомендуется не ближе 5мм от корпуса трандистора при температуре припоя +265°C в течение времени не более 3с. Допускается пайка волной при температуре не более +235°C.
Допустимое значение статического потенциала — 500 В.
.gif)
![]() |
![]() |
