СПРАВОЧНИК ПО РАДИОЭЛЕКТРОННЫМ КОМПОНЕНТАМ

Биполярные транзисторы отечественного производства

Транзисторы КТ9115А

p-n-p кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные транзисторы средней мощности, высокочастотные, усилительно-генераторные. Предназначены для использования в усилителях мощности высокой частоты, схемах усиления видеосигнала.

Диапазон рабочих температур: от -45 до +100°C

Комплементарная пара: КТ940А

Корпус: КТ-27 (ТО-126)

Обозначение P-N-P биполярного транзистора
Транзистор КТ9115А.

1 - ЭМИТТЕР

2 - КОЛЛЕКТОР

3 - БАЗА

Основные электрические параметры транзистора КТ9115А.

Наименование параметраОбозначениеЕдиница
измерения
УсловияЗначения
Не менееНе более
Обратный ток коллектор - база
Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и отсоединённом выводе эмиттера.
IКБО
мкА UКБ=250В, tср=+25°C0.05
UКБ=250В, tср=+100°C2.0
Обратный ток эмиттеpа
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и отсоединённом выводе коллектора.
IЭБО
мкАUЭБ=3В0.05
Статический коэффициент передачи тока
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером.
h21э
UКЭ=10В,IК=30мА 25
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы.
UКЭ нас
ВIК=30мА , IБ=6мА1.0
Напряжение насыщения база - эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы.
UБЭ нас
ВIК=30мА , IБ=6мА1.1
Граничное напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера.
UКЭО гр
ВIК=10мА300
Ёмкость коллекторного перехода
Ёмкость между выводами коллектора и базы при заданном обратонм напряжении между ними и отсоединённом выводе эмиттера.
CК
пФUКБ=30В5.5
Ёмкость эмиттерного перехода
Ёмкость между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении между ними и отсоединённом выводе коллектора.
CЭ
пФUБЭ=0.5В50

Предельно допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ9115А.

Наименование параметраОбозначениеЕдиница
измерения
Значение
Постоянный ток коллектора
Максимально допустимый ток, длительно протекающий через коллекторный переход.
IК max
мА 100
Импульсный ток коллектора
при: tи<2мс, Q>3.3 1)
Максимально допустимый ток, кратковременно протекающий через коллекторный переход при заданных скважности и длительности импульса.
IКи max
мА 300
Постоянный ток базы
Максимально допустимый ток, длительно протекающий через цепь базы.
IБ max
мА 50
Напpяжение коллектоp-эмиттеp
при: RБЭ=10кОм
Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном сопротивлении, подсоединённом между базой и эмиттером.
UКЭR max
В 300
Напряжение коллектор-база
Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
UКБО max
В 300
Напряжение эмиттер-база
Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю.
UЭБО max
В 5.0
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при: tср=-40...+25°C без теплоотвода 2)
Максимальная постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора.
PК max
Вт 1.2

Классификация транзисторов серии КТ9115.

Литера
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера.
UКЭО гр
Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
UКБО max
Максимально допустимое обратное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном сопротивлении, подсоединённом между базой и эмиттером.
UКЭR max
КТ9115Аот 300 В до 300 В до 300 В
КТ9115Бот 150 В до 150 В до 150 В

1) При Q<3,3 IКи max рассчитывается по формуле

$$I_{Ки max}=Q\times I_{Кmax}$$

2) Максимальная рассеиваемая корпусом мощность при наличии теплоотвода PК max — 10 Вт.

При температуре корпуса от +25 до +100 °C при наличии теплоотводаPК max снижается до 4 Вт.

При температуре корпуса от +25 до +100 °C без теплоотводаPК max снижается до 0,48 Вт.

Пайка выводов рекомендуется не ближе 5мм от корпуса трандистора при температуре припоя +265°C в течение времени не более 3с. Допускается пайка волной при температуре не более +235°C.

Допустимое значение статического потенциала — 500 В.

Чертёж корпуса КТ-27 (TO-126)
Выходные характеристики транзистора КТ9115А Входные характеристики транзистора КТ9115А
Зависимость емкости коллекторного перехода от приложенного обратного напряжения