СПРАВОЧНИК ПО РАДИОЭЛЕКТРОННЫМ КОМПОНЕНТАМ
Биполярные транзисторы отечественного производства
Транзисторы КТ644А
p-n-p кремниевые эпитаксиально-планарные низковольтные транзисторы средней мощности, высокочастотные, широкого применения. Предназначены для применения в схемах усиления и переключения радиоэлектронной аппаратуры.
| ![]() 1 - ЭМИТТЕР 2 - КОЛЛЕКТОР 3 - БАЗА |
Основные электрические параметры транзистора КТ644А.
Наименование параметра | Обозначение | Единица измерения | Условия | Значения | |
Не менее | Не более | ||||
Обратный ток коллектор - база | Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и отсоединённом выводе эмиттера. IКБО |
мкА | UКБ=50В | 0.1 | |
Обратный ток эмиттеpа | Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и отсоединённом выводе коллектора. IЭБО |
мкА | UЭБ=5В | 0.1 | |
Статический коэффициент передачи тока | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером. h21э |
UКБ=10В, IК=150мА | 40 | 120 | |
Модуль коэффициента передачи тока | Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на заданной высокой частоте. |h21э| |
UКБ=5В, IК=30мА, f=100МГц | 2.0 | ||
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. UКЭ нас |
В | IК=150мА, IБ=15мА | 0.4 | |
Напряжение насыщения база - эмиттер | Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. UБЭ нас |
В | IК=150мА, IБ=15мА | 1.3 | |
Граничное напряжение коллектор-эмиттер | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера. UКЭО гр |
В | IКЭО=10мА, IЭБ=0мА | 60 | |
Ёмкость коллекторного перехода | Ёмкость между выводами коллектора и базы при заданном обратонм напряжении между ними и отсоединённом выводе эмиттера. CК |
пФ | UКБ=10В, f=5-10МГц | 8.0 | |
Ёмкость эмиттерного перехода | Ёмкость между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении между ними и отсоединённом выводе коллектора. CЭ |
пФ | UЭБ=0В, f=10МГц | 50 | |
Время рассасывания | Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе достигнет заданного уровня. tрас |
нс | IК=150 мА, IБ=15 мА | 180 | |
Тепловое сопротивление переход - корпус | Определяет насколько градусов температура перехода выше температуры корпуса при рассеиваемой мощности, равной 1 Вт. Rt п-к |
°C/Вт | 10 | ||
Тепловое сопротивление переход - среда | Определяет насколько градусов температура перехода выше температуры окружающей среды при рассеиваемой мощности, равной 1 Вт. Rt п-с |
°C/Вт | 115 |
Предельно допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ644А.
Наименование параметра | Обозначение | Единица измерения | Значение | |
Постоянный ток коллектора | Максимально допустимый ток, длительно протекающий через коллекторный переход. IК max |
мА | 600 | |
Импульсный ток коллектора при: tи≤10мкс, Q≥2, PК≤PК max |
Максимально допустимый ток, кратковременно протекающий через коллекторный переход при заданных скважности и длительности импульса. IКи max |
мА | 1000 | |
Постоянный ток базы | Максимально допустимый ток, длительно протекающий через цепь базы. IБ max |
мА | 200 | |
Напряжение коллектор-база | Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. UКБО max |
В | 60 | |
Напряжение эмиттер-база | Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю. UЭБО max |
В | 5.0 | |
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при: Тср≤+35°С |
Максимальная постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора. PК max |
Вт | 1.0 | |
Импульсная рассеиваемая мощность корпуса при: TИ≤10мкс, Q≥2, Тк≤+25°С |
Максимальная кратковременная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора при заданных условиях (длительности импульса и скважности). PКи max |
Вт | 20 | |
Температура перехода | Максимально допустимая температура коллекторного перехода (кристалла). Tj max |
°C | 150 |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
.gif)