СПРАВОЧНИК ПО РАДИОЭЛЕКТРОННЫМ КОМПОНЕНТАМ

Биполярные транзисторы отечественного производства

Транзисторы КТ644А

p-n-p кремниевые эпитаксиально-планарные низковольтные транзисторы средней мощности, высокочастотные, широкого применения. Предназначены для применения в схемах усиления и переключения радиоэлектронной аппаратуры.

Обозначение ТУ: аА0.336.268 ТУ

Корпус: КТ-27 (TO-126)

Особенности: Типовое значение граничной частоты передачи тока fгр = 200 МГц

Обозначение P-N-P биполярного транзистора

1 - ЭМИТТЕР

2 - КОЛЛЕКТОР

3 - БАЗА

Основные электрические параметры транзистора КТ644А.

Наименование параметра	Обозначение	Единица измерения	Условия	Значения
Наименование параметра	Обозначение	Единица измерения	Условия	Не менее	Не более
Обратный ток коллектор - база	Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и отсоединённом выводе эмиттера. I_КБО	мкА	U_КБ=50В		0.1
Обратный ток эмиттеpа	Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и отсоединённом выводе коллектора. I_ЭБО	мкА	U_ЭБ=5В		0.1
Статический коэффициент передачи тока	Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером. h_21э		U_КБ=10В, I_К=150мА	40	120
Модуль коэффициента передачи тока	Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на заданной высокой частоте. \|h_21э\|		U_КБ=5В, I_К=30мА, f=100МГц	2.0
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер	Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. U_{КЭ нас}	В	I_К=150мА, I_Б=15мА		0.4
Напряжение насыщения база - эмиттер	Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы. U_{БЭ нас}	В	I_К=150мА, I_Б=15мА		1.3
Граничное напряжение коллектор-эмиттер	Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера. U_{КЭО гр}	В	I_КЭО=10мА, I_ЭБ=0мА		60
Ёмкость коллекторного перехода	Ёмкость между выводами коллектора и базы при заданном обратонм напряжении между ними и отсоединённом выводе эмиттера. C_К	пФ	U_КБ=10В, f=5-10МГц		8.0
Ёмкость эмиттерного перехода	Ёмкость между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении между ними и отсоединённом выводе коллектора. C_Э	пФ	U_ЭБ=0В, f=10МГц		50
Время рассасывания	Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе достигнет заданного уровня. t_рас	нс	I_К=150 мА, I_Б=15 мА		180
Тепловое сопротивление переход - корпус	Определяет насколько градусов температура перехода выше температуры корпуса при рассеиваемой мощности, равной 1 Вт. R_{t п-к}	°C/Вт		10
Тепловое сопротивление переход - среда	Определяет насколько градусов температура перехода выше температуры окружающей среды при рассеиваемой мощности, равной 1 Вт. R_{t п-с}	°C/Вт		115

Предельно допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ644А.

Наименование параметра	Обозначение	Единица измерения	Значение
Постоянный ток коллектора	Максимально допустимый ток, длительно протекающий через коллекторный переход. I_{К max}	мА	600
Импульсный ток коллектора при: t_и≤10мкс, Q≥2, P_К≤P_{К max}	Максимально допустимый ток, кратковременно протекающий через коллекторный переход при заданных скважности и длительности импульса. I_{Ки max}	мА	1000
Постоянный ток базы	Максимально допустимый ток, длительно протекающий через цепь базы. I_{Б max}	мА	200
Напряжение коллектор-база	Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. U_{КБО max}	В	60
Напряжение эмиттер-база	Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю. U_{ЭБО max}	В	5.0
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при: Т_ср≤+35°С	Максимальная постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора. P_{К max}	Вт	1.0
Импульсная рассеиваемая мощность корпуса при: T_И≤10мкс, Q≥2, Тк≤+25°С	Максимальная кратковременная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора при заданных условиях (длительности импульса и скважности). P_{Ки max}	Вт	20
Температура перехода	Максимально допустимая температура коллекторного перехода (кристалла). T_j max	°C	150

Входные характеристики транзисторов КТ644

Выходные характеристики транзисторов КТ644

<div>Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения база-эмиттер транзисторов КТ644</div>

<div>Зависимость емкости коллекторного перехода от</div><div>напряжения коллектор-база транзисторов КТ644</div>

<div>Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного напряжения на коллекторе транзисторов КТ644</div>

<div>Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры транзисторов КТ644</div>

<div>Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от постоянного тока коллектора транзисторов КТ644</div>

<div>Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока коллектора транзисторов КТ644</div>

<div>Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от постоянного тока коллектора транзисторов КТ644</div>