СПРАВОЧНИК ПО РАДИОЭЛЕКТРОННЫМ КОМПОНЕНТАМ

Биполярные транзисторы отечественного производства

Транзисторы КТ644А

p-n-p кремниевые эпитаксиально-планарные низковольтные транзисторы средней мощности, высокочастотные, широкого применения. Предназначены для применения в схемах усиления и переключения радиоэлектронной аппаратуры.

Обозначение ТУ: аА0.336.268 ТУ

Корпус: КТ-27 (TO-126)

Особенности: Типовое значение граничной частоты передачи тока fгр = 200 МГц

Обозначение P-N-P биполярного транзистора
Транзистор КТ644А.

1 - ЭМИТТЕР

2 - КОЛЛЕКТОР

3 - БАЗА

Основные электрические параметры транзистора КТ644А.

Наименование параметраОбозначениеЕдиница
измерения
УсловияЗначения
Не менееНе более
Обратный ток коллектор - база
Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и отсоединённом выводе эмиттера.
IКБО
мкАUКБ=50В0.1
Обратный ток эмиттеpа
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и отсоединённом выводе коллектора.
IЭБО
мкАUЭБ=5В0.1
Статический коэффициент передачи тока
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер, заданном токе эмиттера в схеме с общим эмиттером.
h21э
UКБ=10В, IК=150мА40120
Модуль коэффициента передачи тока
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на заданной высокой частоте.
|h21э|
UКБ=5В, IК=30мА, f=100МГц2.0
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы.
UКЭ нас
ВIК=150мА, IБ=15мА0.4
Напряжение насыщения база - эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах коллектора и базы.
UБЭ нас
ВIК=150мА, IБ=15мА1.3
Граничное напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера.
UКЭО гр
В
IКЭО=10мА, IЭБ=0мА
60
Ёмкость коллекторного перехода
Ёмкость между выводами коллектора и базы при заданном обратонм напряжении между ними и отсоединённом выводе эмиттера.
CК
пФUКБ=10В, f=5-10МГц8.0
Ёмкость эмиттерного перехода
Ёмкость между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении между ними и отсоединённом выводе коллектора.
CЭ
пФUЭБ=0В, f=10МГц50
Время рассасывания
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе достигнет заданного уровня.
tрас
нсIК=150 мА, IБ=15 мА180
Тепловое сопротивление переход - корпус
Определяет насколько градусов температура перехода выше температуры корпуса при рассеиваемой мощности, равной 1 Вт.
Rt п-к
°C/Вт10
Тепловое сопротивление переход - среда
Определяет насколько градусов температура перехода выше температуры окружающей среды при рассеиваемой мощности, равной 1 Вт.
Rt п-с
°C/Вт115

Предельно допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ644А.

Наименование параметраОбозначениеЕдиница
измерения
Значение
Постоянный ток коллектора
Максимально допустимый ток, длительно протекающий через коллекторный переход.
IК max
мА 600
Импульсный ток коллектора
при:  tи≤10мкс, Q≥2, PК≤PК max
Максимально допустимый ток, кратковременно протекающий через коллекторный переход при заданных скважности и длительности импульса.
IКи max
мА 1000
Постоянный ток базы
Максимально допустимый ток, длительно протекающий через цепь базы.
IБ max
мА 200
Напряжение коллектор-база
Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
UКБО max
В 60
Напряжение эмиттер-база
Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер-база при заданном токе эмиттераи токе коллектора равном нулю.
UЭБО max
В 5.0
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при: Тср≤+35°С
Максимальная постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора.
PК max
Вт 1.0
Импульсная рассеиваемая мощность корпуса
при: TИ≤10мкс, Q≥2, Тк≤+25°С
Максимальная кратковременная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора при заданных условиях (длительности импульса и скважности).
PКи max
Вт 20
Температура перехода
Максимально допустимая температура коллекторного перехода (кристалла).
Tj max
°C 150
Входные характеристики транзисторов КТ644 Выходные характеристики транзисторов КТ644 <div>Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения база-эмиттер транзисторов КТ644</div>
<div>Зависимость емкости коллекторного перехода от</div><div>напряжения коллектор-база транзисторов КТ644</div> <div>Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного напряжения на коллекторе транзисторов КТ644</div> <div>Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры  транзисторов КТ644</div>
<div>Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от постоянного тока коллектора транзисторов КТ644</div> <div>Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока коллектора  транзисторов КТ644</div> <div>Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от постоянного тока коллектора транзисторов КТ644</div>
Чертёж корпуса КТ-27 (TO-126)